Prikupljanje sredstava 15. septembra 2024 – 1. oktobra 2024
O prikupljanju novca
pretraga knjiga
knjige
Prikupljanje sredstava:
17.6% dosegnuto
Prijaviti se
Prijaviti se
prijavljenim korisnicima su dostupni:
lične preporuke
Telegram bot
istorija preuzimanja
poslati na Email ili Kindle
upravljanje zbirkama
sačuvanje u izabrano
Lično
Upite za knjige
Proučavanje
Z-Recommend
Spiskovi knjiga
Najpopularnije
Kategorije
Učešće
Donirati
Otpremanja
Litera Library
Donirati papirne knjige
Dodati papirne knjige
Search paper books
Otvoriti LITERA Point
Pretraga ključnih reči
Main
Pretraga ključnih reči
search
1
Etude de l’épitaxie sélective de GaN/saphir et GaN/GaN-MOVPE par HVPE. Application à la croissance de structure périodiques de faible dimensionnalité
Julie Tourret
croissance
µm
saphir
substrat
température
vitesses
figure
substrats
hvpe
surface
réacteur
gacl
structures
vitesse
gaz
flux
étude
gacl2
mécanisme
ouvertures
gallium
movpe
pression
hcl
réaction
sélective
templates
masqués
couche
vecteur
morphologies
rh2
gravure
growth
molécules
faible
vapeur
journal
mécanismes
meb
résultats
masse
transfert
nitrure
crystal
technique
l’épitaxie
masque
gacl3
dispositif
Jezik:
french
Fajl:
PDF, 17.35 MB
Vaši tagovi:
0
/
0
french
1
Idite na
ovaj link
ili potražite bota „@BotFather“ u Telegramu
2
Pošaljite komandu /newbot
3
Navedite ime za svog bota
4
Navedite korisničko ime za bota
5
Kopirajte poslednju poruku od BotFather i ubacite je ovde
×
×